三星全新microSD，凭借高性能和大容量助力移动计算和端侧AI

 三星电子今日宣布，已开始向客户提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存储卡样品，该款存储卡顺序读取速度最高可达800MB/s，此外，1TB[3] UHS-1 microSD存储卡现已进入量产阶段。随着新一代microSD存储卡产品的推出，三星将着力打造差异化存储解决方案，更好满足未来移动计算和端侧人工智能应用的需求。

"来自移动计算和端侧人工智能应用的需求与日俱增，三星推出的这两款全新micro SD卡为应对这一问题提供了有效解决方案。"三星电子品牌存储事业部全球副总裁Hangu Sohn表示，"尽管存储卡尺寸极小，但能够带来SSD（固态硬盘）级别的强大性能和超大容量，帮助用户充分利用要求严格的现代和未来应用。"

三星首款SD Express microSD存储卡，传输速度最高可达800MB/s

三星SD Express microSD

三星推出了采用SD Express接口的全新高性能microSD卡，这也是与客户成功合作开发定制产品的成果。

得益于三星的低功耗设计以及为实现产品优良性能和可靠热管理而专门优化的固件技术，三星SD Express microSD储存卡能够以小巧外形尺寸提供与SSD相媲美的性能。传统microSD存储卡采用UHS-1接口，读取速度上限为104MB/s，而SD Express系列产品的最大读取速度可达985MB/s，但截至目前，SD Express microSD存储卡尚未投入商用。                                                             

三星SD Express microSD存储卡的顺序读取速度可达800MB/s，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍、传统UHS-1接口存储卡（最高200MB/s）的4倍以上，能够在PC和移动设备等多种应用端得到更好的计算体验。为确保SD Express microSD存储卡性能稳定、质量可靠，三星采用了动态散热保护（Dynamic Thermal Guard）技术，即使长时间使用，也能确保存储卡温度始终处于理想水平。

1TB UHS-1 microSD存储卡，搭载先进1Tb V-NAND技术

三星1TB UHS-1 EVO Plus microSD

三星1TB UHS-1 PRO Plus microSD

三星在全新1TB microSD存储卡上堆叠了八层三星第8代1Tb V-NAND，实现了过去仅能应用于SSD的大容量封装。全新1TB microSD存储卡已通过业内测试，即使在极具挑战性的环境中也能保持稳定可靠。产品具备防水、耐极端温度、防摔、防磨损、防X射线和防磁[4]等六重防护特性。

推出时间                                                                

256GB SD Express microSD存储卡将于今年内推出，1TB UHS-1 microSD存储卡预计将于今年第三季度投入市场。